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       半電波暗室SAC3+/SAC5+是完全按照3m或5m測(cè)試距離設(shè)計(jì)的半電波暗室。拱頂設(shè)計(jì)和吸波材料的優(yōu)化布局，以及鐵氧體和部分復(fù)合吸波材料的頻率覆蓋范圍從26MHz至18GHz，可使暗室內(nèi)的反射達(dá)到*小。半電波暗室SAC3+/SAC5+由于內(nèi)置的復(fù)合吸波材料的長(zhǎng)度相對(duì)較短，所以這種暗室的尺寸比內(nèi)置長(zhǎng)尖劈吸波材料的暗室尺寸更小。半電波暗室SAC3+/SAC5+在30MHz到1GHz時(shí)具有優(yōu)越的歸一化場(chǎng)地衰減特性（±3dB），在1GHz到18GHz范圍內(nèi)的場(chǎng)地電壓駐波比（4dB）更是大大優(yōu)于CISPR 16-1-4的要求。這種暗室的標(biāo)準(zhǔn)配置包括1-4m掃描高度的天線塔、轉(zhuǎn)臺(tái)以及它們的控制器。